等離子鍍膜設(shè)備是一種基于直流輝光放電的鍍膜設(shè)備，它采用了一種新的四氧化PCVD方法來獲得薄膜。它不同于傳統(tǒng)的濺射和蒸發(fā)，解決了薄膜的顆粒和熱損傷問題。它可用于在SEM和FE-SEM樣品上涂覆導電膜或在TEM樣品上涂覆支撐膜。涂層的厚度范圍從幾納米到幾百納米，甚至小于1納米。
 

　　1.自動控制，只需要設(shè)定涂膜厚度，涂裝過程即可自動完成。

　　2.記憶存儲器可以拆卸：具有密封結(jié)構(gòu)，可以冷凍保存。

　　3.涂覆時間短：薄膜厚度僅需幾秒鐘即可達到納米級。

　　4.配備互鎖電路：一旦OsO4氣體進入腔體，如果真空度達不到標準，則無法打開腔體。

　　5.無顆粒：由OPC沉積的導電金屬膜是*非晶態(tài)的。

　　6.等離子鍍膜設(shè)備的film膜均勻度很高。

　　7.無熱損傷：與熱蒸發(fā)和離子濺射相比，OPC對樣品無熱損傷。

　　8，無電子損傷：膜硬度高，熔點高，不會受到強電子束的破壞。

　　9.無污染：樣品在陰極，僅在陽離子表面，可確保無污染。

　　等離子鍍膜設(shè)備是小型RF等離子磁控濺射鍍膜儀器系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括所有必要的附件，例如300W（13.5mhz）射頻電源，2英寸磁控濺射頭，石英真空室，真空泵和溫度控制器。對于某些金屬膜和非金屬膜的生產(chǎn)，是一款物美價廉的實驗幫手。