BGO晶體基片

簡(jiǎn)要描述：BGO晶體基片

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2024-10-22
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晶體產(chǎn)品

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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

鍺酸鉍(Bi4Ge3O12)晶體基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

鍺酸鉍（Bi4Ge3O12簡(jiǎn)稱BGO）是一種具有立方結(jié)構(gòu)、無色透明的無機(jī)氧化物晶體，它不溶于水，在高能粒子或高能射線（x-射線、γ-射線）激發(fā)下能發(fā)出峰值為480nm波長(zhǎng)的綠色熒光。BGO晶體具有強(qiáng)阻止射線能力、高閃爍效率、優(yōu)良的能量分辨率及不潮解等優(yōu)點(diǎn)，所以是一種優(yōu)良的閃爍體，廣泛應(yīng)用于高能物理、核物理、空間物理、核醫(yī)學(xué)、地質(zhì)勘察和其它工業(yè)領(lǐng)域。

技術(shù)參數(shù)：

基本性質(zhì)

晶向	<100>
晶體結(jié)構(gòu)	立方
晶格常數(shù)	a=10.518?
生長(zhǎng)方法	提拉法
熔點(diǎn)	1050℃
密度	7.12g/cm3
莫氏硬度	5 Mohs
透過范圍	350~5500nm
電光系數(shù) (x10-12m/V )	r41 1.03
折射率	2.098@ 632.8nm
激發(fā)光譜	305nm
熒光光譜	480~510nm
相對(duì)光輸出	10~14% Nal (Tl)
衰減時(shí)間	300ns
臨界能量	10.5Mev
能量分辨率(511千電子伏特)	20%

產(chǎn)品規(guī)格：

可按客戶要求定制尺寸

標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝

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