氮化鎵（GaN）晶體基片

簡要描述：GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶，能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG（因?yàn)?-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素）.科晶公司將為您提供高品質(zhì)低價(jià)位的氮化鎵晶體和基片。

產(chǎn)品型號：GaN
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2024-10-22
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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

氮化鎵(GaN)晶體基片

產(chǎn)品簡介：

GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶，能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG(因?yàn)?span style="font-family:arial">2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質(zhì)低價(jià)位的氮化鎵晶體和基片。

技術(shù)參數(shù)：

制作方法：	HVPE（氫化物氣象外延法）
傳導(dǎo)類型：	N型；半絕緣型
電阻率：	R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm
表面粗糙度：	<0.5nm
位錯密度：	<5x106Ω.cm
可用表面積：	>90%
TTV:	≤15um
Bow:	≤20um