VTC-5RF是一款5靶頭的等離子射頻磁控濺射儀,針對(duì)于高通量MGI(材料基因組計(jì)劃)薄膜的研究。特別適合用于探索固態(tài)電解質(zhì)材料,通過5種元素,按16種不同配比組合。
技術(shù)參數(shù)
概念
| - 5個(gè)濺射頭安裝5種不同材料
- 通過不同的濺射時(shí)間,5種材料可以濺射出不同組分的產(chǎn)物,
- 選擇5個(gè)等離子射頻電源,可在同一時(shí)間濺射5種材料
- 真空腔體中安裝有旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái),可以制作16個(gè)樣品
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電源 | 單相220 VAC, 50 / 60 Hz |
射頻電源
| - 一個(gè)13.5MHz,300W自動(dòng)匹配的射頻電源安裝在儀器上,并與靶頭相連接
- 一個(gè)旋轉(zhuǎn)開關(guān)可一次激活一個(gè)濺射頭。濺射頭可以在真空或等離子體環(huán)境中自動(dòng)切換
- 可選購多個(gè)射頻電源,同一時(shí)間濺射多個(gè)靶材。
- 所有的濺射參數(shù),都可由電腦設(shè)置
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直流電源(可選)
| - 可選購直流電源,來濺射金屬靶材
- 可配置5個(gè)直流或射頻電源,來同時(shí)濺射5中靶材
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磁控濺射頭 | - 5個(gè)1英寸的磁控濺射頭,帶有水冷夾層
- 可在本公司額外購買射頻線
- 電動(dòng)擋板安裝在濺射腔體內(nèi)
- 設(shè)備中配有一循環(huán)水冷機(jī),水流量為10L/min
- (1) (2) (3) (4)
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濺射靶材
| - 所要求靶材尺寸:直徑為25.4mm,zui大厚度3mm
- 濺射距離: 50 – 80 mm(可調(diào))
- 濺射角度: 0 – 25°(可調(diào))
- 配有銅靶和 Al2O3 靶,用于樣品測試用
- 可在本公司購買各種靶材
- 實(shí)驗(yàn)時(shí),需要將靶材和銅片粘合,可通過導(dǎo)電銀漿粘合(可在本公司購買導(dǎo)電銀漿)
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真空腔體
| - 真空腔體采用304不銹鋼制作
- 腔體內(nèi)部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)
- 鉸鏈?zhǔn)角婚T,直徑為Φ380mm,上面安裝有Φ150mm的玻璃窗口
- 真空度: 4E-5 torr (采用分子泵)
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樣品臺(tái)
| - 直徑為150mm的樣品臺(tái),上面覆蓋一旋轉(zhuǎn)臺(tái),帶有10mm的孔洞,每次露出一個(gè)樣品接收濺射成膜。
- 樣品臺(tái)尺寸:Φ150mm,可通過程序控制來旋轉(zhuǎn),可制作16種不同組分的薄膜
- 樣品臺(tái)可以加熱,zui高溫度可達(dá)600℃
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真空泵
| - 設(shè)備中配有一小型渦旋分子泵
- 真空泵接口為KF40
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石英振蕩測厚儀(可選)
| 可選購精密石英振蕩測厚儀,安裝在真空腔體內(nèi),實(shí)時(shí)測量薄膜的厚度,精確度為0.1 Å(需水冷) |
凈重 | 60kg |
質(zhì)量認(rèn)證 | CE認(rèn)證 |
質(zhì)保 | 一年質(zhì)保期,終生維護(hù) |
應(yīng)用注意事項(xiàng) | - 此款設(shè)備設(shè)置主要是在單晶基片上制作氧化物薄膜,所以不需要高真空的環(huán)境
- 所用氣瓶上必須安裝減壓閥(可在本公司購買),所用Ar氣純度為5N
- 為了得到較好質(zhì)量的薄膜,可以對(duì)基片進(jìn)行清洗
- 用超聲波清洗機(jī),用丙酮或乙醇作為清洗介質(zhì),清除基片表面的油脂,然后在N2氣或真空環(huán)境下對(duì)基片干燥
- 等離子清洗機(jī),可使基片表面粗糙化,改變基片表面化學(xué)活性,清除表面污染物
- 可在基片表面鍍上緩沖層,如Cr, Ti, Mo, Ta,,可改善金屬或合金膜的粘附性
- 濺射一些非導(dǎo)電靶材,其靶材背后必須附上銅墊片
- 本公司實(shí)驗(yàn)室成功地在Al2O3基片上成功生長出ZnO外延膜
- 因?yàn)闉R射頭連接著高電壓,所以用戶在放入樣品或更換靶材時(shí),必須切斷電源
- 不可用自來水作為冷卻水,以防水垢堵塞水管。應(yīng)該用等離子水,或冷卻介質(zhì)
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